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Samsung - Memory - 2 GB - SO DIMM 200-polig - DDR2 - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - ungepuffert - nicht-ECC

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Produktinformationen zu Samsung DDR3-1333 CL9

Allgemein

Speicherkapazität

2 GB

Erweiterungstyp

Generisch

Speicher

Typ

DRAM

Technologie

DDR3 SDRAM

Formfaktor

DIMM 240-PIN

Modulhöhe (Zoll)

1.18

Speichergeschwindigkeit

1333 MHz ( PC3-10600 )

Latenzzeiten

CL9 ( 9-9-9 )

Datenintegritätsprüfung

ECC

RAM-Merkmale

Single Rank, acht Bänke , ungepuffert

Modulkonfiguration

256 x 72

Chip-Organisation

256 x 8

Versorgungsspannung

1.5 V

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